GBT 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接.pdf免费下载0KB

上传资料会员中心每日签到

发布当前位置： > 化工 > GBT 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接

GBT 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接.pdf 免费下载

星级评价：暂无文件大小：0KB
下载权限：无需注册更新时间：2016-12-18
文件类型：.pdf隶属栏目：化工
上传会员：sltly 浏览次数：1
授权方式：非商业性使用

内容介绍

PDF格式电子标准下载，

·进入下载地址列表

互动评论

猜你喜欢下载排行

GBT 7016-1986规范 下载量：78次: 2GBT 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
3GBT 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针: 4GBT 4192-1984 电真空器件及电光源用钨、钼材料电
5GBT 11446.4-1997 电子级水电阻率的测试方法: 6GBT 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的
7GBT 5594.5-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试: 8GBT 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
9GBT 14140-2009 硅片直径测量方法: 10GBT 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
11GBT 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法: 12GBT 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光
13GBT 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方: 14GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法