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b特性分析 通过研究光学特性和光限幅特性可以丰富光与物质相互作用的 研究热点逐渐转移到材料的理论分析及应用上来。
半导体纳米 #{rb:x #;_ x{::;xr:x;:x}#{rb;rx}#r{r:#;::;r_ :x;:x;r_ {r_ b:x;r_ :x}#{:r;xb:x}#r{_ r{:r;:_ :}#{::x}# {r:#}# {_ _ {x_ {x _ r{::} #rr{:r(":");brb(r(":") x,r(":") x);brb;rx} #rr_ r x{::;r:#} #rr:x} #rr r{:b;:x;br::x} 共页河南光学专业级硕士论文中文摘要r半导体纳米材料和金属卟啉的非线性光学性质的研究中文摘要r半导体纳米微粒因其非线性折射率高、响应时间快而在过去的十年里倍受关r。
注。
运用表面化学方法对半导体纳米微粒进行表面修饰是研究纳米材料物理性质的一xx制备和特性研究 共页独创性声明r本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。
尽我所知,除文中已经标明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。
对本文的研究做出贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标第十章讲解学习 共页半导体的光学常数,本征吸收二,若则价带电子吸收光子跃迁到导带,这种电子由带与带之间的跃迁所形成的吸收过程,称为本征吸收,本征吸收发生的条件,本征吸收,直接跃迁电子与光子的相互作用过程中,本征吸收为一连续的吸收带课件 共页LED。
世纪年代对吸收光谱的研究所取得的最重要的进展是,区别了直接带隙半导体和间接带隙半导体,并测量了一些重要的能带参数。
通过对微波范围的共振吸收回旋共振,相当直接地证明了G、S的导带的多谷结构。
与此同时,准确地测量了有效质量。
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